1，增强氧化速度，能使氧化速率提升 10%~15%。
 

2，钝化可动离子，特别是Na+，K+，钠，钾离子在电场作用下移动到硅片表面，影响电学特性，导致器件不稳定。而掺氯可固定可动离子，避免其移动。
 

3，中和Si-SiO2界面处电荷，减少氧化层缺陷。